Исследование упругих свойств нано SiC, выращенного на Si методом замещения атомов

Автор: Александр Сергеевич Гращенко

Соавторы: А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов

Организация: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Проблем Mашиноведения Российской Академии Наук (ИПМаш РАН)